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B82462G4105M

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
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  • 說明
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  • B82462G4105M
    B82462G4105M

    B82462G4105M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • B82462G4105M000
    B82462G4105M000

    B82462G4105M000

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • 愛普科斯

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
B82462G4105M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • Ind Power Shielded Wirewound 1mH 20% 100KHz Ferrite 160mA 2424 Blister T/R
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 6X 6 1000UH 0.16A
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • Power inductor SMD shielded 1000uH
B82462G4105M 技術(shù)參數(shù)
  • B82462G4104M 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 530mA 580 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:530mA 電流 - 飽和值:420mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:580 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.248" 長(zhǎng) x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82462G4103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 62 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:62 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.248" 長(zhǎng) x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82462G4102M 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 16 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:3.4A 電流 - 飽和值:4.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:16 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.248" 長(zhǎng) x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82462G2821M 功能描述:820nH Shielded Wirewound Inductor 3.25A 17 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±20% 額定電流:3.25A 電流 - 飽和值:4.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:17 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.248" 長(zhǎng) x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82462G2682M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.45A 78 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:1.45A 電流 - 飽和值:1.48A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:78 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.248" 長(zhǎng) x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82462G4334M B82462G4472M B82462G4473M B82462G4474M B82462G4682M B82462G4683M B82462G4684M B82462G4684M000 B82462X0004 B82462X00040000 B82462X004 B82462X4 B82464A2102M B82464A2103M B82464A2104K B82464A2152M B82464A2153K B82464A2154K
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