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B82432T1184K

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  • B82432T1184K
    B82432T1184K

    B82432T1184K

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • B82432T1184K000
    B82432T1184K000

    B82432T1184K000

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • EPCOS

  • SMD

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨!

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  • 1
B82432T1184K PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 1812 180 UH 10% - Tape and Reel
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 1812 180UH 10%
B82432T1184K 技術(shù)參數(shù)
  • B82432T1183K 功能描述:18μH Unshielded Wirewound Inductor 550mA 600 mOhm Max 1812 (4532 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:18μH 容差:±10% 額定電流:550mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):600 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:10 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:18MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1812(4532 公制) 大小/尺寸:0.177" 長 x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.134"(3.40mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82432T1182K 功能描述:1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 1.05A 130 mOhm Max 1812 (4532 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.8μH 容差:±10% 額定電流:1.05A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):130 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:10 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:70MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1812(4532 公制) 大小/尺寸:0.177" 長 x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.134"(3.40mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82432T1154K 功能描述:150μH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 6 Ohm Max 1812 (4532 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±10% 額定電流:160mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):6 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 796kHz 頻率 - 自諧振:6.1MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:796kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1812(4532 公制) 大小/尺寸:0.177" 長 x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.134"(3.40mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82432T1153K 功能描述:15μH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 500 mOhm Max 1812 (4532 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:15μH 容差:±10% 額定電流:600mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):500 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:10 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:20MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1812(4532 公制) 大小/尺寸:0.177" 長 x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.134"(3.40mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82432T1152K 功能描述:1.5μH Unshielded Wirewound Inductor 1.15A 110 mOhm Max 1812 (4532 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±10% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):110 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:10 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:80MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1812(4532 公制) 大小/尺寸:0.177" 長 x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.134"(3.40mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82432T1332K B82432T1333K B82432T1334K B82432T1392K B82432T1393K B82432T1394K B82432T1394K000 B82432T1472K B82432T1473K B82432T1474K B82432T1562K B82432T1562K000 B82432T1563K B82432T1564K B82432T1564K000 B82432T1682K B82432T1683K B82432T1684K
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