B65813H3200X041

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B65813H3200X041
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業(yè)執(zhí)照
200
EPCOS
13+
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

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功能描述
EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM 10 N41 3200 ’+30%-20%
RoHS
否
制造商
Fair-Rite
產品
Ferrite Cores
阻抗
365 Ohms
容差
最大直流電流
最大直流電阻
工作溫度范圍
- 55 C to + 125 C
封裝 / 箱體
端接類型
SMD/SMT

B65813H3200X041 技術參數(shù)

B65813D630A48 功能描述:FERRITE CORE RM 630NH N48 制造商:epcos (tdk) 系列:B65813 零件狀態(tài):有效內核類型:RM 電感因數(shù)（Al）:630nH 容差:±3% 間隙:有缺口有效磁導率 (μe):254 初始磁導率（μi）:- 材料:N48 磁心因數(shù)（ΣI/A） mm-1:0.5 有效長度（e） mm:42 有效面積（Ae）mm2:83 最小磁心橫截面（Amin）?mm2:- 有效磁體體積（Ve） mm3:3490 表面:無涂層供應商器件封裝:RM 10 高度:9.35mm 長度:28.50mm 寬度:13.50mm 直徑:- 標準包裝:200 B65813D400A48 功能描述:FERRITE CORE RM 400NH N48 制造商:epcos (tdk) 系列:B65813 零件狀態(tài):有效內核類型:RM 電感因數(shù)（Al）:400nH 容差:±3% 間隙:有缺口有效磁導率 (μe):161 初始磁導率（μi）:- 材料:N48 磁心因數(shù)（ΣI/A） mm-1:0.5 有效長度（e） mm:42 有效面積（Ae）mm2:83 最小磁心橫截面（Amin）?mm2:- 有效磁體體積（Ve） mm3:3490 表面:無涂層供應商器件封裝:RM 10 高度:9.35mm 長度:28.50mm 寬度:13.50mm 直徑:- 標準包裝:200 B65813D0630A048 功能描述:FERRITE CORE RM 630NH N48 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65813 零件狀態(tài):在售內核類型:RM 電感因數(shù)（Al）:630nH 容差:±3% 間隙:有缺口有效磁導率 (μe):254 材料:N48 磁心因數(shù)（ΣI/A） mm-1:0.5 有效長度（e） mm:42 有效面積（Ae）mm2:83 有效磁體體積（Ve） mm3:3490 表面:無涂層供應商器件封裝:RM 10 高度:9.35mm 長度:28.50mm 寬度:13.50mm 直徑:- 標準包裝:200 B65813D0400A048 功能描述:FERRITE CORE RM 400NH N48 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65813 零件狀態(tài):在售內核類型:RM 電感因數(shù)（Al）:400nH 容差:±3% 間隙:有缺口有效磁導率 (μe):161 材料:N48 磁心因數(shù)（ΣI/A） mm-1:0.5 有效長度（e） mm:42 有效面積（Ae）mm2:83 有效磁體體積（Ve） mm3:3490 表面:無涂層供應商器件封裝:RM 10 高度:9.35mm 長度:28.50mm 寬度:13.50mm 直徑:- 標準包裝:200 B65812S1108D2 功能描述:Supplier Device Package RM 8 制造商:epcos (tdk) 系列:B65812 零件狀態(tài):過期配件類型:線軸（線圈架），垂直配套使用產品/相關產品:RM 供應商器件封裝:RM 8 標準包裝:200 B65813J0400A041 B65813J0400A087 B65813J0400J087 B65813J0630A087 B65813J0630J087 B65813J1000K087 B65813J1000K87 B65813J1600K41 B65813J160A41 B65813J160A87 B65813J250A41 B65813J250A87 B65813J315A87 B65813J400A41 B65813J400A87 B65813J400J87 B65813J630A87 B65813J630J41