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參數(shù)資料
| 型號： | AS4LC1M16E5-60JI |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| 中文描述： | 3V的100萬× 6的CMOS的DRAM（江戶） |
| 文件頁數(shù)： | 21/22頁 |
| 文件大小： | 604K |
| 代理商： | AS4LC1M16E5-60JI |
AS4LC1M16E5
4/11/01
Alliance Semiconductor
21
CAS-before-RAS self refresh cycle
Package dimensions
t
RP
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
CHS
t
CEZ
RAS
UCAS,
LCAS
DQ
t
RPS
t
CSR
t
RPC
e
D
E1
Pin 1
b
B
A1
A2
c
E
Seating
Plane
E2
A
42-pin SOJ
Min
0.128
0.025
0.105
0.026
0.015
0.007
1.070
0.370 NOM
0.395
0.435
0.050 NOM
Max
0.148
-
0.115
0.032
0.020
0.013
1.080
A
A1
A2
B
b
c
D
E
E1
E2
e
0.405
0.445
SOJ
50-pin TSOP II
Min
(mm)
Max
(mm)
1.2
A
A
1
A
2
b
c
d
E
H
e
e
l
0.05
0.95
0.30
0.12
20.85
10.03
11.56
0.80 (typical)
0.40
1.05
0.45
0.21
21.05
10.29
11.96
0.60
d
H
e
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40
15 16
36 35
17 18 19 20
34 33 32 31
c
l
A
1
A
2
e
TSOP II
0–5°
21
30
22 23 24 25
29 28 27 26
E
A
b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4LC1M16E5-60TC | 3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16E5-60TI | 3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16E5 | 3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS5C1008-15 | 128K x 8 SRAM RUGGEDIZED PLASTIC HIGH SPEED SRAM |
| AS5C512K8ECJ-25 | µP-Compatible 14-Bit CMOS DAC; Package: CERDIP GLASS SEAL; No of Pins: 20; Temperature Range: Industrial |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4LC1M16E5-60TC | 制造商:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:Dynamic RAM, EDO, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
| AS4LC1M16E5-60TI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16EC6/883 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC1M16EC7/883 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC1M16EC8/883 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
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