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AUIRFS3004-7P

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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  • 功能描述
  • MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRFS3004-7P 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFS3004 功能描述:MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.75 毫歐 @ 195A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9200pF @ 25V 功率 - 最大值:380W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK(TO-252AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFR9024NTRL 功能描述:MOSFET P-CH 55V 11A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):350pF @ 25V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK(TO-252AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRFR9024N 功能描述:MOSFET P-CH 55V 11A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):350pF @ 25V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK(TO-252AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR6215TRL 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):295 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRFR6215 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):295 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFS3207Z AUIRFS3306 AUIRFS3306TRL AUIRFS3307Z AUIRFS3607 AUIRFS3607TRL AUIRFS3806 AUIRFS3806TRL AUIRFS4010 AUIRFS4010-7P AUIRFS4115 AUIRFS4115-7P AUIRFS4115-7TRL AUIRFS4115TRL AUIRFS4127 AUIRFS4127TRL AUIRFS4310 AUIRFS4310TRL
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