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AOB1100L

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
AOB1100L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOS N CH 100V 130A 2.1W TO263
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AOB1100L 技術(shù)參數(shù)
  • AOB10T60PL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):700毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1595pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB10N60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB10B65M1 功能描述:IGBT 650V 10A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,10A 功率 - 最大值:150W 開(kāi)關(guān)能量:180μJ(開(kāi)),130μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:24nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:12ns/91ns 測(cè)試條件:400V,10A,30 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):262ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 163W Surface Mount TO-263 (D2Pak) 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.8V @ 15V,10A 功率 - 最大值:163W 開(kāi)關(guān)能量:260μJ(開(kāi)),70μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:17.4nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:10ns/72ns 測(cè)試條件:400V,10A,30 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):105ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AO-AGSM-OM54 功能描述:ANTENNA GSM / UMTS OMNI 7DB - OM 制造商:b&b smartworx, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 配件類(lèi)型:天線(xiàn) 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB1404L AOB14N50 AOB15B60D AOB15B65M1 AOB15S60L AOB15S65L AOB1606L AOB1608L AOB20C60 AOB20C60L AOB20C60PL AOB20S60L AOB210L AOB240L AOB2500L AOB2502L AOB254L AOB256L
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