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AUIRLSL3036

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  • AUIRLSL3036
    AUIRLSL3036

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 853240

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  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • AUIRLSL3036
    AUIRLSL3036

    AUIRLSL3036

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售部:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 649

  • International Rectifier

  • 標準封裝

  • 23+

  • -
  • 真實的資源竭誠服務您!

  • AUIRLSL3036
    AUIRLSL3036

    AUIRLSL3036

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 1
AUIRLSL3036 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRLSL3036 技術參數(shù)
  • AUIRLS8409-7TRL 功能描述:MOSFET NCH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.75 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):266nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):16488pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標準包裝:800 AUIRLS8409-7P 功能描述:MOSFET NCH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級,AEC-Q101,HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.75 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):266nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):16488pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標準包裝:50 AUIRLS4030TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 110A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):130nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11360pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRLS4030-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):190A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 110A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11490pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標準包裝:800 AUIRLS4030-7P 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):190A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 110A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11490pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標準包裝:50 AUIRLZ44ZSTRL AUIRS1170STR AUIRS2003S AUIRS2004S AUIRS2012STR AUIRS20161S AUIRS20162STR AUIRS20302S AUIRS20302STR AUIRS2092S AUIRS2092STR AUIRS2110S AUIRS2112S AUIRS2113S AUIRS2113STR AUIRS2117S AUIRS2117STR AUIRS2118S
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