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AUIRF1324STRL

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  • AUIRF1324STRL
    AUIRF1324STRL

    AUIRF1324STRL

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • AUIRF1324STRL
    AUIRF1324STRL

    AUIRF1324STRL

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Infineon Technologies

  • MOSFET N-CH 24V 195A

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
AUIRF1324STRL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 24V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRF1324STRL 技術參數(shù)
  • AUIRF1324S-7P 功能描述:MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:240A（Tc） 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:252nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7700pF @ 19V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 毫歐 @ 160A，10V 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片） 標準包裝:50 AUIRF1324S 功能描述:MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:195A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.65 毫歐 @ 195A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:240nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7590pF @ 24V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRF1324 功能描述:MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:195A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 195A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:240nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7590pF @ 24V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRF1018ES 功能描述:MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:79A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 47A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2290pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRF1018E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:79A（Tc） 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2290pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:110W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 47A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:1,000 AUIRF1405 AUIRF1405ZL AUIRF1405ZS AUIRF1405ZS-7P AUIRF1405ZS-7TRL AUIRF1405ZSTRL AUIRF2804 AUIRF2804L AUIRF2804S AUIRF2804S-7P AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL7P AUIRF2804WL AUIRF2805 AUIRF2805S AUIRF2807 AUIRF2903Z AUIRF2903ZL
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