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APTM100A13SCG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4000
Microsemi
MOSFET
2010+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APTM100A13SCG
深圳市思諾康科技有限公司
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聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APTM100A13SCG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4000
Microsemi
MOSFET
2010+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APTM100A13SCG
標準國際(香港)有限公司
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聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

APTM100A13SCG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
TUBE
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APTM100A13SCG
深圳市瑞智芯科技有限公司
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聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

APTM100A13SCG
深圳市百潤電子有限公司
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聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
100
MICROCHIP
NA
21+
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

APTM100A13SCG
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
SP6
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

APTM100A13SCG
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

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功能描述
PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM100A13SCG 技術(shù)參數(shù)

APTM100A13DG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:65A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:156 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100A12STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:68A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:616nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17400pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM08TDUM04PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4530pF @ 25V 功率 - 最大值:138W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM08TAM04PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4530pF @ 25V 功率 - 最大值:138W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTLVTR 功能描述:Tactile Switch SPST-NO Side Actuated Surface Mount, Right Angle 制造商:apem inc. 系列:APTL 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電路:SPST-NO 開關(guān)功能:關(guān)-瞬時不同電壓時的觸頭額定電流:0.05A @ 12VDC 致動器類型:矩形按鈕安裝類型:表面貼裝，直角 PCB 外致動器高度（從引腳計算）:- 致動器方向:側(cè)面觸動端子類型:鷗翼型外形:4.70mm x 3.50mm 照明:不發(fā)光照明電壓（標稱值）:- 照明類型，顏色:- 作用力:220gf 侵入防護:- 特性:- 致動器材料:熱塑塑膠開關(guān)行程:- 機械壽命:- 工作溫度:-25°C ~ 70°C 標準包裝:3,000 APTM100DA33T1G APTM100DA40T1G APTM100DAM90G APTM100DDA35T3G APTM100DSK35T3G APTM100DU18TG APTM100DUM90G APTM100H18FG APTM100H35FT3G APTM100H35FTG APTM100H45FT3G APTM100H45SCTG APTM100H45STG APTM100H46FT3G APTM100H80FT1G APTM100SK18TG APTM100SK33T1G APTM100SK40T1G