APTGLQ25H120T2G

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

APTGLQ25H120T2G
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
POWER MODULE - IGBT
22+
-

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功能描述
POWER MODULE - IGBT
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件狀態(tài)
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
配置
全橋
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
50A
功率 - 最大值
165W
不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
2.42V @ 15V，25A
電流 - 集電極截止（最大值）
50μA
不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）
1.43nF @ 25V
輸入
標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻
是
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
模塊
供應(yīng)商器件封裝
SP2
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

APTGLQ25H120T2G 技術(shù)參數(shù)

APTGLQ25H120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.43nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ200HR120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop 1200V 300A 1000W Through Hole SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:* 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，160A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:通孔封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ200H65G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:270A 功率 - 最大值:680W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V, 200A 電流 - 集電極截止（最大值）:75μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:12.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ200H120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 350A 1000W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:350A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ200A120T3AG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:2 個(gè)獨(dú)立式電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，160A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG