APT33N90JCU2

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT33N90JCU2
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
ISOTOP，SOT-227
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

APT33N90JCU2
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A
22+
-

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - COOLMOS - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MOD MOSFET 900V 33A SOT227

APT33N90JCU2 技術參數(shù)

APT33N90JCCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT33GF120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:357W 開關能量:1.315mJ（開），1.515mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關）值:14ns/185ns 測試條件:800V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:25 APT33GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:52A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):104A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:297W 開關能量:2.8mJ（開）， 2.8mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關）值:25ns/210ns 測試條件:- 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT33GF120B2RDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:357W 開關能量:1.315μJ（開），1.515μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關）值:14ns/185ns 測試條件:800V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT32M80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 24A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:303nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9326pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT35DL120HJ APT35GA90B APT35GA90BD15 APT35GN120BG APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L