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APT10SCD65KCT

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  • APT10SCD65KCT
    APT10SCD65KCT

    APT10SCD65KCT

  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 496

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

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  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • APT10SCD65KCT
    APT10SCD65KCT

    APT10SCD65KCT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 全新庫存現(xiàn)貨 電話010-6210493...

  • APT10SCD65KCT
    APT10SCD65KCT

    APT10SCD65KCT

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO-220
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE DIODE
APT10SCD65KCT 技術(shù)參數(shù)
  • APT10SCD65K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 電流 - 平均整流(Io):17A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 650V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:300pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10SCD120K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A Through Hole TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 工作溫度 - 結(jié):- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10SCD120BCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):36A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:600pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):36A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:600pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT10M11JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):142A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 71A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ
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