AON7422E_101

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功能描述
MOSFET N-CH DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
20A（Ta），40A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
50nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
2940pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），36W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
4.3 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
8-DFN-EP（3x3）
封裝/外殼
8-VDFN 裸露焊盤(pán)
標(biāo)準(zhǔn)包裝
5,000

AON7422E_101 技術(shù)參數(shù)

AON7422E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2940pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AON7421 功能描述:MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:114nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4550pF @ 10V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7418A 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2994pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）封裝/外殼:8-PowerWDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON7418 功能描述:MOSFET N-CH 30V 46A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2994pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7416_101 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta），40A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AON7442 AON7444 AON7444L AON7446 AON7448 AON7448L AON7450 AON7450L AON7452 AON7452L AON7458 AON7460 AON7462 AON7466 AON7474A AON7502 AON7506 AON7508