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AON7200_102

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類(lèi)型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 15.8A（Ta），40A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 4.5V，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 20nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 1300pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 3.1W（Ta），62W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 8 毫歐 @ 20A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 155°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-DFN-EP（3x3）
  • 封裝/外殼
  • 8-VDFN 裸露焊盤(pán)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 5,000
AON7200_102 技術(shù)參數(shù)
  • AON7200_101 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15.8A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），62W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3x3） 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AON7200 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15.8A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7140 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3350pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:46W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3） 封裝/外殼:8-PowerWDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6998 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）非對(duì)稱(chēng)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A，26A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:820pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6996 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）非對(duì)稱(chēng)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A，60A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:820pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON7242 AON7244 AON7246 AON7246_101 AON7246E AON7254 AON7262E AON7264E AON7280 AON7290 AON7292 AON7296 AON7380 AON7400 AON7400A AON7400AL AON7400AL_101 AON7400AL_102
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