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AOB5B60D

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  • 封裝
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  • 說明
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  • AOB5B60D
    AOB5B60D

    AOB5B60D

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • AOS美國萬代

  • TO263

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • AOB5B60D
    AOB5B60D

    AOB5B60D

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ALPHA

  • SOT-263

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • AOB5B60D
    AOB5B60D

    AOB5B60D

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ALPHA & O

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
AOB5B60D PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全稱
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • 600V, 5A Alpha IGBT with Diode
AOB5B60D 技術參數
  • AOB4S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):263pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB482L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.9 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4870pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB480L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta),180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7820pF @ 40V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB470L 功能描述:MOSFET N-CH 75V 10A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.2 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):136nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5640pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB462L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17.7 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOC2413 AOC2414 AOC2415 AOC2417 AOC2421 AOC2422 AOC2423 AOC2800 AOC2802 AOC2802_001 AOC2804 AOC2804B AOC2806 AOC2870 AOC3860 AOC3862 AOC3864 AOC3868
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