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ALD114835PCL

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  • ALD114835PCL
    ALD114835PCL

    ALD114835PCL

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 85

  • ADVANCED

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  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ALD114835PCL 技術參數(shù)
  • ALD114813SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 2.7V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.26V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:48 ALD114813PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 2.7V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.26V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 ALD114804SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):360mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:48 ALD114804PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):360mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 ALD114804ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):380mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:48 ALD118 ALD11G48-6L ALD11G48-L ALD11G48N-6L ALD11G48N-L ALD11G48N-SL ALD11G48-SL ALD124 ALD12A48-6L ALD12A48-L ALD12A48N-6L ALD12A48N-L ALD12A48N-SL ALD12A48-SL ALD13Y48-6L ALD13Y48-L ALD13Y48N-6L ALD13Y48N-L
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