參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6426RL1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 188K
代理商： 2N6426RL1
2N6426 2N6427
http://onsemi.com
93
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain(1)
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
2N6426
2N6427
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
2N6426
2N6427
(IC = 500 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
2N6426
2N6427
hFE
20,000
10,000
30,000
20,000
14,000
—
200,000
100,000
300,000
200,000
140,000
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 50 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
(IC = 500 mAdc, IB = 0.5 mAdc
VCE(sat)
—
0.71
0.9
1.2
1.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 500 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
VBE(sat)
—
1.52
2.0
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
VBE(on)
—
1.24
1.75
Vdc
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
5.4
7.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 1.0 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
10
15
pF
Input Impedance
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N6426
2N6427
hie
100
50
—
2000
1000
k
Small–Signal Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N6426
2N6427
hfe
20,000
10,000
—
Current–Gain — High Frequency
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
2N6426
2N6427
|hfe|
1.5
1.3
2.4
—
Output Admittance
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
hoe
—
1000
mmhos
Noise Figure
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 100 k, f = 1.0 kHz)
NF
—
3.0
10
dB
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6426RLRM 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC3569 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC3569-L 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC3569-K 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N5486ZL1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2N6426RLRAG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6427 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6427_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Darlington Transistor
2N6427_D26Z 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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