2N4341

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N4341
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
MOT
CAN
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應

2N4341
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
MOT
-
假一罰十，百分百原裝正品

2N4341
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）
地址：華強街道賽格廣場55樓5566室
資質：營業(yè)執(zhí)照
36890
CAL
CAN3
21+原廠授權
-
★原廠授權★價超代理★

2N4341
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G
8566
MOT
CAN
15+
-
絕對公司原裝現(xiàn)貨

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功能描述
JFET N-Channel JFet General Purpose
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶體管極性
N-Channel
漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
50 mA
漏源電壓 VDS
15 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
50 mA
配置
安裝風格
封裝 / 箱體
SC-59
封裝
Reel

2N4341 技術參數(shù)

2N4340 功能描述:TRANS JFET N-CH 50V 50MA TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:15V 額定電流:- 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:50V 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N4339-E3 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:500μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4339-2 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:500μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4339 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:500μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4338-E3 功能描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:200μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:300mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4372 2N4373 2N4374 2N4375 2N4376 2N4377 2N4378 2N4391 2N4391-2 2N4391-E3 2N4391UB 2N4392 2N4392-2 2N4392-E3 2N4392UB 2N4393 2N4393-2 2N4393-E3