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1N4448 TR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
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  • 操作
  • 1N4448 TR
    1N4448 TR

    1N4448 TR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 50000

  • CENTRAL S

  • 帶卷(TR)

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
1N4448 TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 100V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 150mA
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf)
  • 1V @ 100mA
  • 速度
  • 小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
  • 4ns
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 25nA @ 20V
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容
  • 4pF @ 0V,1MHz
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 200°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
1N4448 TR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4448 A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:720mV @ 5mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4448 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:2pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 1N4447TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4447 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 20mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4446TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 20mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4448HWS-13-F 1N4448HWS-7 1N4448HWS-7-F 1N4448HWT-7 1N4448-T 1N4448TAP 1N4448-TP 1N4448TR 1N4448TR_S00Z 1N4448W RHG 1N4448W-7 1N4448W-7-F 1N4448W-E3-08 1N4448W-E3-18 1N4448W-G3-08 1N4448W-G3-18 1N4448W-HE3-08 1N4448W-HE3-18
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