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1N4150_S62Z

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  • 1N4150_S62Z
    1N4150_S62Z

    1N4150_S62Z

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售部經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 256

  • Fairchild Semiconductor

  • 標準封裝

  • 23+

  • -
  • 真實的資源竭誠服務您!

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
1N4150_S62Z PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 整流器 High Conductance Ultra Fast
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 產(chǎn)品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向電壓
  • 100 V
  • 正向電壓下降
  • 恢復時間
  • 1.2 us
  • 正向連續(xù)電流
  • 2 A
  • 最大浪涌電流
  • 35 A
  • 反向電流 IR
  • 5 uA
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-221AC
  • 封裝
  • Reel
1N4150_S62Z 技術參數(shù)
  • 1N4150 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N4150 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:2,000 1N4149TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):500mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:1 1N4149_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):500mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:30,000 1N4149 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20nA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-18 1N4150W-G3-08 1N4150W-G3-18 1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-18 1N4151 1N4151_T50R 1N4151TAP 1N4151TR 1N4151W-E3-08 1N4151W-E3-18 1N4151W-G3-08 1N4151W-G3-18 1N4151W-HE3-08 1N4151W-HE3-18 1N4151WS-E3-08 1N4151WS-E3-18
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