參數(shù)資料
型號(hào)： PMEM1505PG
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP transistor/Schottky rectifier module
中文描述： 500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-88A, 5 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： PMEM1505PG
9397 750 12751
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 26 May 2004
4 of 11
Philips Semiconductors
PMEM1505PG
PNP transistor/Schottky rectifier module
7.
Characteristics
[1]
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
Table 7:
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
PNP transistor
I
CBO
collector-base cut-off
current
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CB
=
15 V; I
E
= 0 A
V
CB
=
15 V; I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0 A
-
-
-
-
100
50
nA
μ
A
I
EBO
emitter-base cut-off
current
DC current gain
-
-
100
nA
h
FE
V
CE
=
2 V; I
C
=
10 mA
V
CE
=
2 V; I
C
=
100 mA
V
CE
=
2 V; I
C
=
500 mA
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
I
C
=
200 mA; I
B
=
10 mA
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
200
150
90
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-
-
25
150
250
< 500
V
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
[1]
mV
mV
mV
m
R
CEsat
equivalent
on-resistance
base-emitter
saturation voltage
base-emitter turn-on
voltage
transition frequency
[1]
V
BEsat
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
[1]
-
-
1.1
V
V
BEon
V
CE
=
2 V; I
C
=
100 mA
[1]
-
-
0.9
V
f
T
V
CE
=
10 V; I
C
=
50 mA;
f = 100 MHz
V
CB
=
10 V; I
E
= I
e
= 0 A;
f = 1 MHz
[1]
100
280
-
MHz
C
c
collector capacitance
-
4.4
10
pF
Schottky barrier rectifier
V
F
continuous forward
voltage
see
Figure 1
I
F
= 10 mA
I
F
= 100 mA
I
F
= 500 mA
I
F
= 1000 mA
see
Figure 2
V
R
= 5 V
V
R
= 8 V
V
R
= 15 V
V
R
= 5 V; f = 1 MHz; see
Figure 3
[1]
-
-
-
-
240
300
400
480
270
350
460
550
mV
mV
mV
mV
[1]
[1]
[1]
I
R
reverse current
[1]
-
-
-
-
5
7
10
19
10
20
50
25
μ
A
μ
A
μ
A
pF
[1]
[1]
C
d
diode capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMK27XP P-channel extremely low level FET
PMLL4148 High-speed diodes
PMLL4150 High-speed diodes
PMLL4151 High-speed diodes
PMMT491 NPN BISS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PMEM1505PG,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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